Intel dévoile un prototype de mémoire ZAM nouvelle génération

Intel dévoile sa mémoire ZAM de nouvelle génération à interconnexions diagonales

Source : TweakTown.com

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À l’Intel Connection Japan 2026, un prototype de la mémoire ZAM a été présenté ! Cette nouvelle architecture en angle Z permettrait de mieux gérer la chaleur et d’accélérer les performances, notamment pour les usages IA.

En effet, Intel a profité de l'événement au Japon pour montrer les premiers prototypes de ZAM, sa nouvelle mémoire développée en partenariat avec SoftBank et sa filiale SAImemory.

Présentée comme une alternative aux architectures actuelles de mémoire vive, cette technologie repose sur une organisation inédite des interconnexions.

Contrairement à la HBM ou aux DRAM classiques, ZAM utilise une topologie diagonale au lieu d’un empilement vertical. Cette structure permettrait d’optimiser la dissipation thermique tout en augmentant la performance.

Intel insiste particulièrement sur l'intérêt de cette approche pour les charges de travail liées à l’IA, de plus en plus exigeantes.

Présents sur place, Joshua Fryman (Intel Government Technologies) et Makoto Ono (Intel Japon) ont évoqué un futur standard pour cette mémoire Z-angle, encore à l’état de prototype mais déjà prometteuse. Selon eux, cette innovation s’inscrit dans un mouvement global de réinvention de l’architecture système, visant à accompagner les progrès à venir dans le domaine de l’IA.